Электроника в вопросах и ответах (Хабловски, Скулимовски) - страница 59

На первую страницу
от напряжения сток — исток U>си при выбранном в качестве параметра U>отс (рис. 4.23, а). Из рис. видно, что при постоянном напряжении U>зи ток стока с увеличением напряжения U>си возрастает сначала линейно, транзистор ведет себя как сопротивление. При дальнейшем росте напряжения U>си ток I>с возрастает нелинейно и достигает точки перегиба («колено»), причем напряжение U>cи, при котором наблюдается перегиб, равно разности напряжений U>зи — U>отс (или иначе говоря, разности модулей значений U>отс  и U>зи). Дальнейшее увеличение напряжёния U>си вызывает изменение распределения потенциала в канале и появление сильного поля в области стока, поддерживающие постоянство тока I>с независимо от дальнейшего роста напряжения U>си. Область характеристики для напряжений превышающих напряжения, соответствующие точкам перегиба, называются областью насыщения или отсечки. Наибольший ток стока достигается при U>зи = 0, т. е. при коротком замыкании между затвором и истоком. Этот ток обозначается I>с нас. Стоковые характеристики полевых транзисторов с р-n переходом, так же как МОП-транзисторов, смещаются в область отрицательных напряжений U>зи, однако работа транзисторов этого типа при таких условиях невозможна из-за большого тока затвора.

Входная характеристика (сток-затворная характеристика — прим. перев.) полевого транзистора с управляющим р-n переходом представляет собой зависимость тока стока от напряжения затвор-исток (рис. 4.23, б). Напряжение U>зи, при котором прекращается ток стока, определяет напряжение отсечки U>отс.



Рис. 4.23.Статические выходные (а) и передаточная (б) характеристики полевого транзистора с р-n переходом

Каковы свойства полевых транзисторов?

Важный параметр униполярных транзисторов — большое входное сопротивление. Оно является следствием протекания очень малого тока затвора, который для полевых транзисторов с р-n переходом равен от 1 до 10 мА, а для МОП транзисторов — в 1000 раз меньше.

Большое входное сопротивление допускает управление полевым транзистором по напряжению от генератора (источника), практически такой транзистор не нагружает источник, не отбирает от него мощность.

Выходное сопротивление (внутреннее сопротивление — прим. перев.) полевых транзисторов (определяется в режиме насыщения) также велико и может быть равно нескольким сотням килоом



Важным параметром полевого транзистора является крутизна или иначе проводимость прямой передачи, которая определяется как



ее значение может изменяться от нескольких миллисименсов до 1 См. Обычно крутизна полевых транзисторов меньше крутизны биполярных. Усилительные свойства полевых транзисторов обусловлены относительно небольшим напряжением, подведенным между затвором и истоком и вызывающим большое изменение тока стока, а следовательно, и большое изменение падения напряжения на сопротивлении нагрузки.

Следующая страница