— транзистор для переключающих схем;
U — транзистор мощный для переключающих схем. Определение «маломощный» обычно соответствует мощности
P>мах <= 0,3 Вт; определение «низкочастотный» обозначает, что для данного транзистора граничная частота
f>т <= 3 МГц (или
f>т <= 2,5 МГц). Третья буква обозначает применение транзистора, указанное изготовителем.
>В СССР используется буквенно-цифровая маркировка транзистора. В зависимости от назначения и используемого при изготовлении транзисторов материала первая буква или цифра обозначает тип полупроводника: 1 или Г — германий; 2 или К — кремний; 3 или А — арсенид галлия. Буква соответствует применению в аппаратуре широкого, а цифра — специального назначения.
>Второй элемент классификация (маркировки) обозначает тип транзистора: T — биполярный; П — полевой.
>Третий элемент назначения определяет назначение транзистора по частотным и мощностным свойствам (табл. 4.1).
>Четвертый и пятый элементы — номер разработки транзистора, обозначается цифрами от 01 до 99.
>Шестой элемент обозначения — буквенной от А до Я. Показывает разделение транзисторов данного типа по классификационным параметрам. Например, транзистор КТ605А — кремниевый, биполярный, средней мощности, высокочастотный. номер разработки 0,5, группа А с классификационным параметром h21э от 10 до 40. — Прим. ред.
Таблица 4.1
>Транзистор…Третий элемент маркировки транзистора
>____________________________________________
— Малой мощности (до 0,3 Вт) с граничной частотой передачи тока:
• низкие частоты до 3 МГц… 1
• средние частоты 3—30 МГц… 2
• высокие и сверхвысокие частоты (более 30 МГц)… 3
— Средней мощности (0,3–1,5 Вт) с граничной частотой передачи тока:
• низкие частоты до 3 МГц… 4
• средние частоты 3—30 МГц… 5
• высокие и сверхвысокие частоты (более 30 МГц)… 6
— Большой мощности (более 1,5 Вт) с граничной частотой передачи тока:
• низкие частоты до 3 МГц… 7
• средние частоты 3—30 МГц… 8
• высокие и сверхвысокие частоты (более 30 МГц)… 9
В справочниках помимо обозначения транзистора часто указываются тип корпуса и эскиз расположения электродов. Корпуса защищают структуру транзистора от механических повреждений, загрязнений, влияния влаги, упрощают отвод тепла, облегчают монтаж транзистора. Применяются корпуса металлические, стеклянные, керамические и из искусственных материалов. Расположение электродов зависит от типа используемого корпуса.