Электроника в вопросах и ответах (Хабловски, Скулимовски) - страница 78

Рис. 5.3. Структура однопереходного транзистора (а) и его графическое изображение (б):

_{>1 — стержень р-типа; 2 — р-n-переход: 3 — пластина n-типа; 4 — омические контакты}

Сопротивление между базами составляет около нескольких тысяч ом. Обычно база Б_>2 смещена в положительную сторону относительно базы Б_>1. При подведении к эмиттеру соответствующего положительного напряжения протекает большой ток эмиттера (при небольшом падении напряжения между эмиттером Э и базой Б_>1). При этом на эмиттерной характеристике транзистора наблюдается область отрицательного сопротивления (рис. 5.4), благодаря чему однопереходный транзистор находит применение в генераторах и триггерах, а также в цепях регулирования. В области отрицательного сопротивления осуществляется очень быстрое переключение.

Рис. 5.4. Статическая характеристика однопереходного транзистора

_{>(1 — область отрицательного сопротивления)}

Это полевой МОП транзистор с каналом типа n (или р) с двумя затворами, управляющими током стока (рис. 5.5). При таком решении в схеме с общим источником достигается хорошая развязка входных и выходных цепей, что позволяет транзистору работать в качестве усилителя высокой частоты до частот около 1000 МГц. При этом трудности, связанные с обратным проникновением сигналов, не возникают. Полевые транзисторы с двумя затворами часто применяют в смесителях в диапазоне высоких частот.

Рис. 5.5.Структура полевого транзистора с двумя затворами с каналом n-типа (а) и его условное графическое обозначение (б):

_{>1 — изолирующий слой; 2 — подложка р-типа; 3 — исток n; 4 — островок; 5 — сток n}

Это планарный транзистор, в котором между базой и коллектором располагается i-слой собственного полупроводника. При этом уменьшается область, обедненная носителями (вблизи перехода коллектор — база) при обратном смещении коллектора, сокращается время пролета носителей на участке база — коллектор и тем самым достигается увеличение максимальной частоты транзистора. Графическое изображение транзисторов с неоднородной базой представлено на рис. 5.6.

Рис. 5.6.Условное графическое обозначение транзистора с неоднородной базой типа p-n-i-p (а) и р-n-i-n (б)

Это трехслойный полупроводниковый прибор с двумя р-n переходами и тремя или двумя выводами, в котором выходной ток изменяется с помощью внешнего облучения (освещения) и электрического сигнала, подводимого к транзистору. Освещение влияет на сопротивление области эмиттер — база. Фототранзистор обладает большей чувствительностью, чем фотодиод, и находит применение в измерительных схемах и автоматике. Существуют также полевые фототранзисторы, работающие с очень малыми входными токами и малыми шумами.