Виталий Гинзбург, Игорь Тамм (Губарев) - страница 53

Лазеры (мазеры) реализуют фантастическую идею «гиперболоида инженера Гарина». Основаны они на квантовом явлении индуцированного излучения: если возбужденный атом или молекула подвержены воздействию излучения, энергия фотонов которого соответствует разности между возбужденным и основным уровнями, то атом (молекула) возвращается в основное состояние, испуская фотоны, неотличимые от тех, которые стимулировали (индуцировали) этот возврат. «Неотличимые» означает в том числе и летящие в том же направлении. Таким образом, если возбужденных частиц было много, то происходит лавинообразное усиление светового луча – вспышка лазера. Нобелевские лауреаты нашли способы получения образцов с большим количеством возбужденных молекул (или атомов) и создали устройства, в которых возникает указанное направленное индуцированное излучение.

4. Лауреат Нобелевской премии по физике 1978 года П. Л. Капица (ИФП, Москва): «За фундаментальные открытия и изобретения в области физики низких температур» – работы 1934–1937 и т. д. годов.

Пётр Леонидович Капица, 1894–1984.

Капица получил половину премии, другую половину разделили между собой американские радиоастрономы Роберт В. Вильсон и Арно А. Пензиас за открытие микроволнового реликтового излучения.

П. Л. Капица – один из основателей физики низких температур и физики сильных магнитных полей. Нобелевскую премию он в основном получил за открытие в 1938 году явления сверхтекучести гелия-2 (как уже говорилось, в 1962 году Л. Д. Ландау был удостоен Нобелевской премии за объяснение этого явления). Послевоенные научные работы Капицы охватывают самые различные области физики, включая гидродинамику тонких слоев жидкости и природу шаровой молнии, но основные его интересы сосредоточиваются на микроволновых генераторах и изучении различных свойств плазмы.

5. Лауреаты Нобелевской премии по физике 2000 года Ж. И. Алфёров (ФТИ, Санкт-Петербург) и Герберт Крэмер (Германия – США): «За развитие полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной оптоэлектроники», а также Дж. С. Килби (США): «За вклад в изобретение интегральных схем».

Жорес Иванович Алфёров, род. в 1930 г.

Гетероструктура представляет собой многослойный «бутерброд», слоистую стуктуру из «состыкованных» вместе полупроводников разного состава, в котором каждый слой имеет свою ширину квантово-запрещенной зоны энергий электронов и положение потолка валентной зоны и дна зоны проводимости. Одним из ярких применений полупроводниковых гетеропереходов является полупроводниковый лазер, предложенный независимо в 1963 г. ленинградцами Ж. И. Алфёровым и Р. Ф. Казариновым и американцем Г. Крэмером…