2.3.1. Основные поражающие факторы и методы воздействия СВЧ-излучений на радиоэлектронную аппаратуру
Хорошо известно, что импульсы СВЧ излучения большой мощности способны выводить из строя элементы любой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в первую очередь полупроводниковые элементы [2, 6]. Деградационные эффекты элементов РЭА могул быть обратимыми и необратимыми. В дальнейшем под термином «поражение» элемента будем понимать его необратимый отказ. К сожалению, богатый инженерный опыт зашиты РЭА от электромагнитных излучении [A. Belous, «High Velocity Microparticles in Space», Springer Nature Switzerland AG 2019-390, ISBN:978-3-030-04157-l] практически не пригоден для защиты от СВЧ излучения, поскольку характер воздействия импульсов СВЧ излучения существенно отличается от характера воздействия электромагнитного импульса ядер-ного взрыва. ЭМП не имеет высокочастотного заполнения (т. е. это видеоимпульс) и его спектр в основном сосредоточен в области относительно низких частот 1…100 МГц. а СВЧ импульсы генерируются на определенной несущей частоте, а их спектр лежит в пределах от единиц до сотен гигагерц. Низкочастотный характер ЭМП создает серьезные проблемы для его направленной канализации в пространстве на объект поражения, а для СВЧ излучения такая канализация легко реализуется с помощью специальных антенных систем (рупорных. зеркальных, фазированных антенных решеток), что существенно повышает уровень СВЧ мощности, действующей на РЭА. ЭМП проникает непосредственно через стенки корпуса радиоэлектронной аппаратуры, в то время как СВЧ излучение может проникать в РЭА через отверстия, стыки и неоднородности корпусов, а также через открытые разъемы отрывных кабельных линий. Поэтому оценка де-градационного воздействия СВЧ излучения на объекты, содержащие элементы и устройства вычислительной техники и системы управления. а также поиск средств и методов зашиты является сложной, но актуальной задачей.
Уровни энергии, достаточные для поражения (необратимой деградации) СВЧ излучением полупроводниковых элементов (диодов. транзисторов, микросхем) РЭА сегодня достаточно хорошо известны [7–9]. В таблице 2.2 представлены известные экспериментальные данные о величине энергии, достаточной для поражения некоторых полупроводниковых элементов в зависимости от длительности СВЧ импульса.