- Если говорить об электронике на молибдените - чем она будет отличаться от электроники на кремнии?
- Если такая электроника будет, то она будет не "лучше" или "хуже", она будет просто "иная". Первопричина состоит в главной особенности слоистых материалов. Пусть вы знаете электронные свойства объемного графита или молибденита. Допустим, что после этого вы справились с задачей аккуратного отделения индивидуального атомного слоя и получили графен или слой молибденита. Так вот электронные свойства такого слоя могут быть принципиально другими по сравнению с характеристиками объемного материала! В частности, вместо полупроводника можно увидеть свойства металла или полуметалла. Резко меняются свойства носителей заряда. Многие привычные параметры объемного кристалла вообще теряют физический смысл. В качестве упражнения попробуйте определить цвет или плотность графена. Графит черный, а графен прозрачный!
- Какие исследования в области полупроводников для электроники ведутся в России? Например, какие материалы изучают в вашем институте?
- В настоящее время в России в той или иной мере исследования ведутся по всем основным направлениям физики полупроводников. Отмечу, однако, что постепенно спектр исследований в России по сравнению с мировым уровнем сужается из-за малой численности ученых и ограниченных финансовых ресурсов. Наш институт является одной из лидирующих исследовательских организаций в области физики полупроводников.
Здесь ведутся исследования самых разных полупроводниковых материалов, включая известные кремний, германий, арсениды галлия и индия. Однако этим набором спектр материалов не ограничивается. В последние годы мы занимаемся методами синтеза графена и родственных ему материалов, узкозонными материалами класса теллуридов, целым спектром нелинейнооптических кристаллов, методами получения наноразмерных пленок металлов и диэлектриков. То есть спектр исследуемых материалов весьма широк. Что касается исследований именно графеноподобных материалов, то только в нашей Лаборатории оптических материалов и структур в настоящее время исследуются такие слоистые материалы, как кристаллы GaSe и GaS, применяемые в нелинейной оптике инфракрасного диапазона, топологические изоляторы Bi>2Se>3 и Bi>2Te>3, оксидные слоистые кристаллы α-MoO>3, WO>3, V>2O>5, шеелиты ZnWO>4 и CdWO>4. Некоторые кристаллы из этого набора показаны здесь на картинках. Все эти вещества крайне своеобразны и интересны. Они очевидно не претендуют за замещение кремния в микроэлектронике, но эти функциональные кристаллы за счет сопряжения с традиционными материалами резко расширяют возможности приборостроения, в том числе и на уровне наноэлектроники.