Достоинствами ТЛ-схем являются большая простота, высокое быстродействие, малое количество элементов. Недостатком — прежде всего необходимость подбора транзисторов с малым разбросом параметров, а также большее время выключения, особенно время t>s.
Рис. 12.10.Транзисторные логические схемы, выполняющие функции НЕ (а), И — НЕ (б) и ИЛИ-HE (в)
Что такое диодно-транзисторные логические схемы?
В диодно-транзисторных решениях схемы элементов типа И, ИЛИ реализуются как диодные, схемы элементов типа НЕ — как транзисторные и лишь схемы элементов И-НЕ и ИЛИ-НЕ — как состоящие из диодов и транзисторов.
Что такое резисторно-транзисторные логические схемы?
На рис. 12.11 представлен элемент ИЛИ — НЕ в резисторно-транзисторном (РТЛ) схемном решении. Как легко заметить, он является модификацией элемента НЕ (см. рис. 12.10, а). Если на любом из входов, имеется 1, то транзистор находится в состоянии насыщения и на выходе элемента появится сигнал логического 0. К недостаткам РТЛ-схем относятся: медленное переключение, низкая граничная частота, а также ограничение возможности интеграции из-за наличия резисторов и конденсаторов, включенных параллельно резисторам R для увеличения скорости переключения.
Рис. 12.11. Логическая схема РТЛ, выполняющая функции ИЛИ — НЕ
Что такое транзисторно-транзисторные логические схемы?
На рис. 12.12 представлен пример построения схемы ТТЛ, выполняющей функции И — НЕ. Это решение соответствует интегральной схеме типа UCY7400 и 134ЛБ1, содержащей четыре вентиля.
Рис. 12.12.Логическая ТТЛ-схема, выполняющая функции И — НЕ на интегральных микросхемах типа UCY7400 или 134ЛБ
Схема работает следующим образом. Транзистор Т>1 с двумя эмиттерами осуществляет логическое произведение (элемент И), а остальные транзисторы образуют выходной противотактный усилитель, осуществляющий функцию отрицания (элемент НЕ). Если хотя бы на одном из входов имеется сигнал логического 0 (ниже + 0,4 В), то транзистор Т>1находится в состоянии насыщения, а транзистор Т>2 — в состоянии запирания. В этом случае резистор R>3 соединяет базу транзистора Т>1с массой, что вызывает его запирание.
Транзистор Т>3 в этих условиях работает как эмиттерный повторитель, поскольку нагрузочное сопротивление схемы и сопротивление транзистоpa T>4 в состоянии запирания значительно больше, чем сопротивление R>4. Выходной сигнал повторителя соответствует 1 (более +2,4 В).
При подаче сигнала, соответствующего 1, на оба входа вентиля эмиттерные переходы входного транзистора Т>1 будут смещены в обратном направлении и ток базы этого транзистора будет протекать через коллекторный переход транзистора