Электроника в вопросах и ответах (Хабловски, Скулимовски) - страница 53
Какие статические характеристики транзистора в схеме ОЭ?
Типичными статическими характеристиками транзистора в схеме ОЭ являются: выходная характеристика рис. 4.13, а — зависимость тока коллектора I>к от напряжения при постоянном напряжении U>бэ или токе I>б[12] и входная характеристика (рис. 4.13, б) — зависимость тока базы I>б от напряжения U>бэпри постоянном напряжении U>кэ, выбранном в качестве параметра.
Рис. 4.13.Статические характеристики транзистора в схеме ОЭ:
>а — выходные; б — входные
Как видно из выходных характеристик, ток коллектора начинает появляться уже при очень небольших значениях напряжения U>кэ, смещающего коллекторный переход в запирающем направлении, и быстро достигает значения, выше которого возрастает уже незначительно. При токе базы, равном нулю, в цепи коллектора протекает обратный ток коллектора
I>кэо = I>кбо/(1 — h>21б)
Из выходной характеристики можно легко определить коэффициент передачи по току в схеме ОЭ h>21э как отношение приращения тока коллектора ΔI>к к приращению тока базы ΔI>б при постоянном напряжении коллектор — эмиттер (U>кэ = const), т. е. для ΔU>кэ = 0. Получим
Из характеристики транзистора, работающего в схеме ОЭ, можно также определить h>11э и h>22э>:
Что такое схемы с общим коллектором и каковы ее свойства?
Транзисторную схему с общим коллектором (ОК) часто называют эмиттерным повторителем. Входной сигнал подводится между базой и коллектором, а нагрузка включается между эмиттером и коллектором (рис. 4.14, а). Физическая модель (эквивалентная схема ОК) представлена на рис. 4.14, б. Для эмиттерного повторителя справедливы следующие соотношения:
h>11к = h>11э; h>12к~= 1; h>21к = — h>21э; h>22к ~= h>22э ~= h>21э·h>22б;
Рис. 4.14.Транзистор в усилительной схеме ОК (а) и физическая модель транзистора, работающего в схеме ОК (б)
Основные свойства схемы ОК по сравнению со схемами ОБ и ОЭ сводятся к следующему: большое усиление по току (возможно примерно 30), усиление по напряжению меньше единицы, малое усиление по мощности (примерно 30), очень большое входное сопротивление (возможно 2 МОм), очень малое выходное сопротивление (не более 200 Ом).
Какая разница в свойствах схем ОБ, ОЭ, ОК?
Схемы ОБ, ОЭ, ОК отличаются входным и выходным сопротивлениями, усилением по напряжению, току и мощности. Численное значение каждого из этих параметров зависит от типа транзистора и условий его работы. Наибольшее усиление по мощности в каждой из схем достигается при согласовании транзистора, с одной стороны, с источником сигнала и, с другой стороны, — с нагрузкой.
Наибольшее входное сопротивление достигается в схеме с ОК, наименьшее в схеме ОБ. Что касается выходного сопротивления, то ситуация обратная: наибольшее сопротивление можно получить в схеме ОБ, наименьшее — в схеме ОК. Коэффициент усиления по напряжению в схемах ОБ и ОЭ почти одинаков (возможно 1000), а в схеме ОК он меньше единицы. Наибольшее усиление по мощности достигается в схеме ОЭ (можно получить несколько десятков тысяч), наименьшее — в схеме ОК (несколько десятков). Наибольшую рабочую частоту для данного транзистора можно получить в схеме ОБ. Она определяется частотой