Опишем теперь несколько детальнее события, которые происходят на границе тогда, когда устанавливается динамическое равновесие.
Откинем простое допущение, которое мы приняли выше, то есть вспомним про существование неосновных носителей.
Картина установления динамического равновесия будет такая. Из глубины p-кристалла все ближе к границе начинает возрастать дырочный ток. Вклад в него дают те дырки, которые успеют дойти до р-n-перехода и проскочить его, не рекомбинируя с электронами.
Конечно, эти дырки должны иметь кроме того достаточную энергию, чтобы перескочить потенциальный барьер.
Пройдя переходную область, этот ток начинает постепенно затухать из-за рекомбинации с электронами. В то же время в n-части из глубины возрастает дырочный ток в противоположном направлении. Дырок в этой области гораздо меньше, но зато им не надо преодолевать барьер для того, чтобы попасть в p-область. Можно сказать, что барьер подстраивается таким образом, чтобы прямой и обратный токи компенсировали друг друга.
Все сказанное относится и к электронному току. Правда, величины дырочного и электронного токов могут сильно различаться из-за того, что р- и n-области по-разному обогащены примесями и, следовательно, свободными носителями. Если, например, в р-области дырок гораздо больше, чем электронов в n-области, то дырочный ток будет гораздо больше электронного.
В этом случае p-область называют эмиттером (излучателем) свободных носителей тока, а n-область — базой.
При таком более детальном описании событий, которые происходят на р-n-границе, мы поймем, что выпрямление тока не может быть полным.
Действительно, если положительный полюс подвести к р-кристаллу, то барьер понизится. Напряжение подгоняет электроны. Если положительный полюс подведен к n-части, то электрическое поле, созданное источником питания, совпадает по направлению с полем барьера. Поле в переходе увеличится. Теперь количество электронов, способных преодолеть барьер, так же как и число дырок, способных перейти в обратную сторону, уменьшится. Отсюда и увеличение сопротивления в области перехода, которое ведет к так называемой несимметричной вольт-амперной характеристике.
Итак, более глубокое рассмотрение отчетливо поясняет, по какой причине выпрямление, происходящее в переходном слое, не будет полным.