Электроника в вопросах и ответах (Хабловски, Скулимовски) - страница 49

— входное сопротивление при к.з. на выходе,

т. е. входное сопротивление, измеренное при к.з. на выходе (u_>2 = 0); h_>11 отражает входное сопротивление и выражается в омах. Значение h_>11 для низкочастотного транзистора может составить, например, 5 кОм.

— коэффициент обратной связи по напряжению при х.х.,

т. е. коэффициент, измеренный при х. х. на входе (i_>1 = 0); h_>12 выражается безразмерным числом. Значение h_>12 для низкочастотного транзистора в схеме ОЭ может составлять, к примеру, 2·10^>-4.

 — коэффициент передачи тока при к.з., измеряемый при к. з. на выходе (u_>2 = 0); h_>21 представляется безразмерным числом. Значение h_>21 для низкочастотного транзистора в схеме ОЭ может составлять, например, 300.

 — входная проводимость при х.х., измеренная при х. х. на входе (i_>1 = 0); h_>22имеет размерность проводимости и выражается в сименсах. Значение h_>22для транзистора в схеме ОЭ может составлять, например, 30 Cм.

Используются также и другие обозначения параметров типа h и у: вместо индекса 11 — применяется индекс i (от английского Input — вход), вместо 22 — индекс о (output — выход), вместо 12 — индекс г (reverse — обратный), вместо 21 — индекс f (forward — прямой).

Параметры транзистора как четырехполюсника зависят от cxeмы, в которой работает транзистор. Для различения параметров в различных схемах включения применяются дополнительные индексы: Э — для схемы ОЭ; Б — для схемы ОБ; К — для схемы ОК.

Следовательно, получаем, например, h_>i (= h_>11), h_>f (= h_>21), h_>fэ (= h_>21э).

Параметрами типа h особенно часто пользуются в случае низкочастотных схем. С помощью h-параметров можно выразить такие параметры усилительной схемы (рис. 4.8), например усилителя, как входное и выходное сопротивления, усиление по току, напряжению и мощности. Например, усиление по току выражается как

K_>i = i_>2/i_>1 = h_>21/(1 + h_>22R_>II)

Рис. 4.8.Транзистор в виде четырехполюсника в схеме усилителя

Это параметры проводимостей транзистора, определяемые для режима к. з. на входе (u_>1 = 0) или на выходе (u_>2 = 0). Близкие условия обычно имеют место в транзисторных схемах, работающих в диапазоне высоких частот с малыми сопротивлениями, и поэтому y-параметры широко используют при проектировании высокочастотных схем. Эквивалентная схема четырехполюсника (транзистора) с y-параметрами представлена на рис. 4.9.

Рис. 4.9.Эквивалентная схема транзистора четырехполюсника с y-параметрами

Значения отдельных параметров следующие:

 — входная проводимость при к. з. на выходе цепи;

— проводимость обратной связи при к. з. на входе;