Электроника в вопросах и ответах (Хабловски, Скулимовски) - страница 50

В общем случае y-параметры в системе проводимостей состоят из действительной части активной проводимости g и мнимой части — реактивной проводимости Ь.

Между h- и y-параметрами существуют соотношения, допускающие их пересчеты, например h_>11 = 1/y_>11, h_>12C = y_>12/у_>11 и т. д.

В схеме ОБ сигнал подводится между эмиттером и базой, а нагрузка включается между коллектором и базой (рис. 4.10, а).

Существует ряд физических моделей схемы ОБ. Наиболее часто встречается схема, представленная на рис. 4.10, б, называемая Т-образной моделью или Т-образной эквивалентной схемой. В этой схеме слой базы транзистора изображается сопротивлением базовой области r_>б, значение которого убывает с ростом тока базы. Параллельно сопротивлению коллекторного перехода r_>к включена барьерная емкость С_>к, сильно зависящая от напряжения U_>кб и тока I_>к.

Частотная зависимость элементов, образующих рассматриваемую физическую модель, в большом диапазоне частот невелика. Большое практическое значение при работе в диапазоне высоких частот имеет произведение r_>бС_>к. Его значение должно быть как можно меньше. Также имеет большое значение и произведение диффузионной емкости С_>э на сопротивление эмиттерного перехода r_>э, определяющее предельную частоту f_>0h_>11 схемы ОБ, при которой h_>21б уменьшаете на 3 дБ, т. е. до относительного уровня 0,707, r_>эС_>э ~= 1/2πf_>h11.

Схему ОБ можно представить также в виде четырехполюсника с h-или y-параметрами, заменяя в схеме, показанной на рис. 4.7, в ток i_>1 на i_>э, i_>2 на i_>к, u_>1 на u_>эб, u_>2 на u_>кб. В этом случае получаем схему, показанную на рис. 4.10, в.

Рис. 4.10.Транзистор в усилительной схеме ОБ (a), физическая модель транзистора, работающего в схеме ОБ (б), схема с ОБ в виде четырехполюсника с h-параметрами (в)

Между h-параметрами и параметрами транзистора, соответствующими Т-образной эквивалентной схеме, существует определенная связь:

h_>11б ~= r_>э, h_>21б = — К_>Iб, h_>12б/h_>22б = r_>б, h_>22б = 1/r_>к

С помощью h-параметров можно определить параметры схемы, работающей в качестве усилителя, возбуждаемого от источника с внутренним сопротивлением R_>г и нагруженного сопротивлением (рис. 4.10, а).

При расчете коэффициента усиления по напряжению К_>U можно воспользоваться формулой

K_>UБ = u_>кб/u_>вх = R_>к/(h_>11б+ R_>г) или K_>UБ = u_>кб/u_>эб= R_>к/h_>1б

Коэффициент усиления по току схемы ОБ К_>IБ = h_>21Б ~ 1.

Выходное и входное сопротивления схемы определяются соответственно как