R>вых ~= 1/h>22б; R>вх ~= h>11б
Основные свойства схемы ОБ кратко можно свести к следующим: большое усиление по напряжению (не менее 1000), коэффициент усиления по току меньше единицы, большее усиление по мощности (примерно 1000), малое входное сопротивление (около 200 Ом), высокое выходное сопротивление (около 500 кОм).
Что называют статическими характеристиками транзистора?
Статические характеристики транзистора — зависимости между токами и напряжениями на различных электродах транзистора, которые получают при подаче на соответствующие электроды регулируемых постоянных напряжений. Статические характеристики снимают путем измерении в простой измерительной схеме либо находят в каталогах или справочниках, разработанных заводом-изготовителем. Статические характеристики позволяют определить ряд параметров транзистора и выбрать соответствующие условия работы, например при усилении сигналов переменного и постоянного тока.
Каковы статические характеристики транзистора в схеме ОБ?
Типичные статические характеристики транзистора в схеме ОБ представляют собой зависимость тока коллектора от постоянного напряжения между коллектором и базой, они называются выходными или коллекторными характеристиками. Такие характеристики можно определить для двух разных случаев: поддерживая постоянным ток эмиттера (рис. 4.11) или поддерживая постоянное значение напряжения эмиттер — база. В обоих случаях уже при малых напряжениях u>кб ток коллектора I>к достигает значения, которое незначительно возрастает при дальнейшем увеличении коллекторного напряжения, причем это возрастание связано в основном с ростом составляющей обратного тока I>кбо (I>ко), который существует из-за наличия неосновных носителей в полупроводнике и определяется для I>э = 0. Основная составляющая тока коллектора, связанная с основными носителями, не зависит от напряжения U>кб смещающего коллекторный переход в запирающем направлении.
Нулевое значение коллекторного тока I>к достигается при небольшом напряжении U>кб противоположной полярности, т. е. при смещении коллекторного перехода в проводящем направлении.
Если при снятии характеристики I>к = φ·(U>кб) в измерительной схеме поддерживается постоянным ток I>э, то ток I>э является в этом случае параметром. Для транзистора типа n-р-n напряжение U>кб и ток коллектора положительны, а для транзистора типа р-n-р — отрицательны[11].
По приведенной на рис. 4.11 характеристике можно простым способом определить коэффициент передачи тока h>21Б как отношение приращения тока коллектора ΔI>к к приращению тока эмиттера