Журнал «Компьютерра» 2007 № 05 (673) 06 февраля 2007 года (Журнал «Компьютерра») - страница 5
В пятницу 26 января в девять часов вечера, когда все труженики Кремниевой Долины после тяжелой недели либо оттягивались, либо, наоборот, готовились отойти ко сну праведному, в Intel созвали журналистов на тайную пресс-конференцию. Злые языки сразу стали интересоваться, почему же не ровно в полночь? Видимо, в руководстве Intel надеялись, что в пятницу вечером конкуренты среагировать не успеют и в следующий понедельник прогрессивное человечество проснется уже не где-нибудь, а в новой компьютерной эре, подаренной ему несомненным лидером индустрии.
Но конкуренты не спали. Информация о готовящейся революции просочилась наружу, и хоть без деталей и с опозданием на целый час, но с похожим заявлением о технологическом прорыве выступила корпорация IBM. Примазавшиеся конкуренты подпортили праздник; лишенные законного отдыха журналисты и аналитики слегка обиделись, и за обычным водопадом сплетен и пересудов, кто круче, почти потерялась технологическая сторона дела. А она, как бы то ни было, подводит итог почти десятилетию серьезных научных исследований и многотрудных опытно-конструкторских разработок. И не так уж важно для прогрессивного человечества, кто первым сказал «мяу». Тем более что законы физики для всех одинаковы, и «мяу» у всех получается очень похожим. Но что же произошло?
В Intel объявили, что в следующем поколении процессорных чипов, которые будут производиться уже в этом году по 45-нм техпроцессу, будут использованы новые так называемые «high-k and metal gate» транзисторы. Более того, сегодня в распоряжении инженеров уже есть пять работающих образцов из пятнадцати планируемых вариантов двух— и четырехъядерных процессоров семейства Penryn, прямого развития удачного ядра Core. Такие процессоры будут работать во всех сегментах рынка — в мобильных и настольных компьютерах, в рабочих станциях и серверах.
К «революционной» пресс-конференции в Intel тщательно подготовились, подключив тяжелую артиллерию. Сам отец-основатель 78-летний Гордон Мур заявил, что «использование материалов с большой диэлектрической проницаемостью (high-k) и металлических затворов (metal gate) знаменует наибольшие изменения в полупроводниковой технологии с момента внедрения транзисторов с затвором из поликристаллического кремния в конце шестидесятых». В обычных транзисторах процессорной логики, которые успешно работают уже четыре десятка лет, ток может течь по полупроводниковому каналу между истоком и стоком. На канал нанесен изолирующий слой диэлектрика — диоксида кремния, а уже на нем расположен третий электрод — затвор из поликристаллического кремния. Меняя напряжение на затворе, можно влиять на проводимость канала — включать и выключать транзистор. Но чем меньше транзистор, тем тоньше слой диэлектрика и короче затвор. В результате растут утечки сквозь изолятор и другие потери. Это приводит к дополнительному нагреву чипа и снижает скорость переключения транзистора.