перехода, смещенного в обратном направлении. Заряд в запирающем слое зависит от напряжения смещения. Кроме того, емкость перехода зависит от площади перехода и распределения в нем примесей. Легко получают емкости 100—1000 пФ/мм>2. Из-за ограниченной площади перехода возможности получения больших емкостей перехода также ограничены. Недостатками таких конденсаторов являются большая температурная зависимость, а также ограничение амплитуды переменного напряжения, поскольку переход в любых условиях работы должен быть смещен отрицательным напряжением, если он должен представить собой емкость и работа должна происходить в линейном диапазоне.
Как создаются индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах?
Создание индуктивности в полупроводниковых интегральных микросхемах связано с некоторыми трудностями. В связи с этим при преобразовании классической схемы в схему, предназначенную для интеграции, следует применять RC-элементы и исключать элементы L. Трудности создания индуктивности в полупроводниковых микросхемах оказывают непосредственное влияние на выбор и структуру схем, предназначенных для интегрального исполнения. Приходится заменять схемы, построенные из дискретных элементов и содержащие индуктивности, несколько более громоздкими схемами, однако без индуктивности.
Некоторое увеличение схемы, предназначенной для интегрального исполнения, однако, имеет второстепенное значение. С этой точки зрения проще создавать схемы цифровой техники, так как они обычно реализуются без индуктивности (триггеры, логические элементы).
Что такое тонкопленочные интегральные микросхемы?
Это схемы, элементы которых совместно с межсоединениями создаются в виде тонких пленок[17], (проводящих, резистивных, диэлектрических и полупроводниковых) разных материалов, осажденных на общей стеклянной или керамической подложке. Схемы подобного типа изготавливают напылением в вакууме через соответствующие маски.
Обычно в виде тонкопленочных схем изготавливаются пассивные схемы. В отличие от полупроводниковых конденсаторов с р-n переходом емкость тонкопленочных конденсаторов не зависит от напряжения и может иметь значительно большее значение (например, в виде многослойных конденсаторов). Тонкопленочные резисторы также могут иметь большие сопротивления. Кроме того, их точность может быть очень высокой, а температурная зависимость слабой. Активные элементы в тонкопленочной технике пока еще недостаточно освоены, поэтому тонкопленочная техника не находит широкого практического применения.
Что такое толстопленочные интегральные микросхемы?